Изготовление флэш-памяти с помощью традиционной планарной технологии приближается к критическим ограничениям пропорциональной миниатюризации перехода на 3D-решения. Это создает значительные проблемы для травления диэлектрика, особенно элементов с большим относительным удлинением (HAR). Кроме того, 3D архитектура И-НЕ включает в себя несколько чередующихся диэлектрических слоев, создание которых увеличивает требования, предъявляемые к системе травления. Она должна быть способна тщательно контролировать профиль по всей пластине для отношений ширины к длине до 80: 1, иметь высокую производительность и обладать высокой селективностью вольфрама для характерных контактов 3DИ-НЕ ступенчатой формы.

Установка AppliedAvatar обладает пошаговой настройкой температуры и возможностью контроля, которые позволяют установить правильное заданное значение температуры и обеспечивать её постоянство для каждого этапа процесса травления, с трехчастотной мощностью и многозонной подачей газа для достижения необходимых глубин травления с эталонным контролем профиля. С помощью данной установки можно изготавливать высокопроизводительные, надежные устройства следующего поколения с 97% отношением критических размеров по всей пластине и без прогиба боковой стенки. Более того, высокоселективное травление дает незначительную потерю основного материала контакта.

Данные функциональные возможности необходимы для создания сложного ступенчатого контакта 3D И-НЕ. Их создание требует высокотехнологичного контроля и регулировки ионной энергии, температуры пластины и пассивирования для достижения многоуровневого контактного травления за один проход без разрушения вольфрама (или следующего материала контакта) в нижней части самых мелких контактных отверстий.

Поддержание отвечающей требованиям селективности и целостности маски является необходимым, но очень сложным условием для травления с большим относительным удлинением. Для этих применений с помощью настройки высокочастотного источника можно создать более высокую плотность плазмы, что позволяет получить более высокую скорость травления, не ухудшая профиль и избирательность.