Параметр |
Диапазоны измерения |
Погрешность |
Пост. напряжение |
200 мВ/2 В/20 В/200 В |
±(0.05% + 3) |
1000 В |
±(0.1% + 5) |
|
Перем. напряжение |
200 мВ (50 Гц~50 кГц) |
±(0.8% + 80) |
2 В/20 В (50 Гц~20 кГц) |
||
200 В (50 Гц~5 кГц) |
||
750 В (50 Гц~400 Гц) |
±(1.0% + 50) |
|
Пост. ток |
20 мА/200 мА |
±(0.35% + 10) |
2 А/20 А |
±(0.8% + 10) |
|
Перем. ток |
200 мА (50 Гц~5 кГц) |
±(0.8% + 80) |
2 А/20 А (50 Гц~400 Гц) |
±(1.0% + 50) |
|
Сопротивление |
200 Ом |
±(0.1% + 20) |
2 кОм/20 кОм/200 кОм/2 МОм |
±(0.1% + 5) |
|
20 МОм |
±(0.4% + 5) |
|
Ёмкость |
20 нФ/2 мкФ |
±(3.5% + 20) |
200 мкФ |
±(5.0% + 30) |
|
Частота |
20 кГц/200 кГц |
±(1.0% + 20) |
Диодный тест |
Индицируется приближенное значение прямого падения напряжения на диоде |
|
"Прозвонка" |
При сопротивлении цепи менее (70±20) Ом включается звуковой сигнал |
|
hFE |
Индицируется приближенное значение hFE (0-1000) проверяемого транзистора (любого типа) |
Погрешность определяется как ±(% от показания + число значений единицы младшего разряда).